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UPG2317T5J-E2中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPG2317T5J-E2
厂商型号

UPG2317T5J-E2

功能描述

GaAs HBT INTEGRATED CIRCUIT

丝印标识

2317

封装外壳

TQFN

文件大小

238.21 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-28 18:48:00

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UPG2317T5J-E2规格书详情

FEATURES

• Operating frequency : fopt = 2 400 to 2 500 MHz (L-band)

: fopt = 4 900 to 5 850 MHz (H-band)

• Supply voltage : VCC (H), (L) = 3.0 to 3.6 V (3.3 V TYP.)

• Control voltage : Venable (H), (L) = 0 to 2.9 V (2.8 V TYP.)

• Circuit current : ICC (L) = 125 mA TYP. @ Pout = +18 dBm, 11g OFDM 54 Mbps signal

: ICC (H) = 150 mA TYP. @ Pout = +18 dBm, 11a OFDM 54 Mbps signal

• Power gain : GP (L) = 29 dB TYP. @ Pout = +18 dBm, 11g OFDM 54 Mbps signal

: GP (H) = 27 dB TYP. @ Pout = +18 dBm, 11a OFDM 54 Mbps signal

• Error vector magnitude : EVM (L) = 3.0% TYP. @ Pout = +18 dBm, 11g OFDM 54 Mbps signal

: EVM (H) = 4.0% TYP. @ Pout = +18 dBm, 11a OFDM 54 Mbps signal

• High-density surface mounting : 12-pin plastic TQFN package (2.5 × 2.5 × 0.37 mm)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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