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UPG2315T5T-E2中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

UPG2315T5T-E2

功能描述

GaAs HBT INTEGRATED CIRCUIT

丝印标识

2315

封装外壳

QFN

文件大小

283.09 Kbytes

页面数量

16

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-12 17:10:00

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UPG2315T5T-E2规格书详情

FEATURES

• Operation frequency : fopt = 2 400 to 2 500 MHz (2 450 MHz TYP.)

• Supply voltage : VCC1, 2 = 3.0 to 3.6 V (3.3 V TYP.)

• Control voltage : Venable = 0 to 2.95 V (2.85 V TYP.)

• Circuit current : ICC = 130 mA TYP. @ VCC1, 2 = 3.3 V, Venable = 2.85 V,

Pout = +18 dBm (at OFDM modulation)

• Power gain : GP = 26 dB TYP. @ VCC1, 2 = 3.3 V, Venable = 2.85 V,

Pout = +18 dBm (at OFDM modulation)

• Gain flatness : ΔGP = 1.0 dB TYP. @ f = 2.4 to 2.5 GHz, VCC1, 2 = 3.3 V, Venable = 2.85 V,

Pout = +18 dBm (at OFDM modulation)

• Error vector magnitude : EVM = 3% TYP. @ VCC1, 2 = 3.3 V, Venable = 2.85 V,

Pout = +18 dBm (at OFDM modulation)

• Harmonics : 2f0, 3f0, 4f0 = 30 dBc TYP. @ VCC1, 2 = 3.3 V, Venable = 2.85 V,

Pout = +18 dBm (at OFDM modulation)

• High-density surface mounting : 16-pin plastic QFN package (3.0 × 3.0 × 0.75 mm)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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