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UPG2193T6E-E2-A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPG2193T6E-E2-A
厂商型号

UPG2193T6E-E2-A

功能描述

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

丝印标识

G2193

封装外壳

TQFN

文件大小

540.24 Kbytes

页面数量

19

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-2 19:12:00

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UPG2193T6E-E2-A规格书详情

FEATURES

• Supply Voltage : VDD = 2.5 to 3.0 V(2.775V TYP.)

• Serial Peripheral Interface SPI Supply Voltage

: AUX SPI_VDD (H) = 1.5 to 3.0 V(1.8 V TYP.)

: AUX SPI_VDD (L) = −0.3 to 0.3 V(0 V TYP.)

• Low Insertion Loss : Lins = 0.4 dB TYP. @ GSM_LB_TX

: Lins = 0.6 dB TYP. @ GSM_HB_TX

• Harmonics : 2f0 = −80 dBc TYP. @ GSM_LB/HB_TX, 50 Ω

: 3f0 = −80 dBc TYP. @ GSM_LB/HB_TX, 50 Ω

: 2f0 = −70 dBc TYP. @ GSM_LB_TX, 34.5 dBm, VSWR = 4:1

: 3f0 = −70 dBc TYP. @ GSM_LB_TX, 34.5 dBm, VSWR = 4:1

• High-density surface mounting : 20-pin TQFN package (3.5 × 3.5 × 0.6 mm)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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