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UPG2156TB-E4-A

丝印:G4V;GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Low insertion loss : LINS = 0.45 dB TYP. @ Vcont = +2.6 V/0 V, f = 1.0 GHz, IN-OUT1 : LINS = 0.35 dB TYP. @ Vcont = +2.6 V/0 V, f = 1.0 GHz, IN-OUT2 : LINS = 0.45 dB TYP. @ Vcont = +2.6 V/0 V, f = 2.0 GHz, IN-OUT1/2 • High power switching : Pin (0.1 dB) = 37 dBm TYP. @ Vcont = +2.6

文件:283.98 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

UPG2156TB-E4-A

L-BAND 4 W SINGLE CONTROL HIGH POWER SPDT SWITCH

文件:97.58 Kbytes 页数:8 Pages

NEC

瑞萨

UPG2156TB-E4

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Low insertion loss : LINS = 0.45 dB TYP. @ Vcont = +2.6 V/0 V, f = 1.0 GHz, IN-OUT1 : LINS = 0.35 dB TYP. @ Vcont = +2.6 V/0 V, f = 1.0 GHz, IN-OUT2 : LINS = 0.45 dB TYP. @ Vcont = +2.6 V/0 V, f = 2.0 GHz, IN-OUT1/2 • High power switching : Pin (0.1 dB) = 37 dBm TYP. @ Vcont = +2.6

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瑞萨

UPG2156TB-E4

L-BAND 4 W SINGLE CONTROL HIGH POWER SPDT SWITCH

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详细参数

  • 型号:

    UPG2156TB-E4-A

  • 功能描述:

    RF 开关 IC GaAs MMIC DPDT SwtCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 开关数量:

    Single

  • 开关配置:

    SPDT

  • 介入损耗:

    0.6 dB

  • 截止隔离(典型值):

    43 dB

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PQFN-16

  • 封装:

    Reel

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更多UPG2156TB-E4-A供应商 更新时间2025-12-1 19:22:00