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UPD78P098BGC-3B9	文件：523.409 Kbytes Page：76 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • EMI noise reduced product • Pin-compatible with mask ROM version (except VPP pin) • Internal PROM: 60 Kbytes Note 1 Programmable only once (ideal for small-scale production) • Internal high-speed RAM : 1024 bytes • Buffer RAM : 32 bytes • Internal expansion RAM : 2048 bytes Note 文件：523.409 Kbytes 页数：76 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多UPD78P098BGC-3B9供应商更新时间2025-11-26 10:20:00