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UPD78070AYGF-3BA	文件：506.38 Kbytes Page：74 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Internal large-capacity RAM • Internal high-speed RAM : 1024 bytes • Internal buffer RAM: 32 bytes • External memory expansion space : 64 Kbytes • Minimum instruction execution time can be varied from high-speed (0.4 ms) to ultra-low-speed (122 ms) • I/O ports: 61 (N-ch open-dra 文件：506.38 Kbytes 页数：74 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多UPD78070AYGF-3BA供应商更新时间2025-10-8 15:01:00