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UPD78070AYGF-3BA	文件：506.38 Kbytes Page：74 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Internallarge-capacityRAM •Internalhigh-speedRAM:1024bytes •InternalbufferRAM:32bytes •Externalmemoryexpansionspace:64Kbytes •Minimuminstructionexecutiontimecanbe variedfromhigh-speed(0.4ms) toultra-low-speed(122ms) •I/Oports:61(N-chopen-dra	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPD78070AYGF-3BA

文件：506.38 Kbytes

Page：74 Pages

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES •Internallarge-capacityRAM •Internalhigh-speedRAM:1024bytes •InternalbufferRAM:32bytes •Externalmemoryexpansionspace:64Kbytes •Minimuminstructionexecutiontimecanbe variedfromhigh-speed(0.4ms) toultra-low-speed(122ms) •I/Oports:61(N-chopen-dra

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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更多UPD78070AYGF-3BA供应商更新时间2024-5-15 15:00:00

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