MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES · Ultra-low-voltage operation possible: VDD = 2.0 to 6.0 V • Can be driven by two 1.5 V manganese batteries. · On-chip memory • Program memory (ROM) : 8064 ´ 8 bit (mPD75308B) : 6016 ´ 8 bit (mPD75306B) : 4096 ´ 8 bit (mPD75304B) • Data memory (RAM) : 512 ´ 4 bit · Instruction exe

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