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UPD75306B	文件：572.03 Kbytes Page：76 Pages	4-BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：572.03 Kbytes 页数：76 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD75306BGC	文件：572.03 Kbytes Page：76 Pages	4-BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：572.03 Kbytes 页数：76 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD75306BGC-XXX-3B9	文件：626.6 Kbytes Page：78 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES · Ultra-low-voltage operation possible: VDD = 2.0 to 6.0 V • Can be driven by two 1.5 V manganese batteries. · On-chip memory • Program memory (ROM) : 8064 ´ 8 bit (mPD75308B) : 6016 ´ 8 bit (mPD75306B) : 4096 ´ 8 bit (mPD75304B) • Data memory (RAM) : 512 ´ 4 bit · Instruction exe 文件：626.6 Kbytes 页数：78 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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UPD75306BGF-XXX-3B9	文件：626.6 Kbytes Page：78 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES · Ultra-low-voltage operation possible: VDD = 2.0 to 6.0 V • Can be driven by two 1.5 V manganese batteries. · On-chip memory • Program memory (ROM) : 8064 ´ 8 bit (mPD75308B) : 6016 ´ 8 bit (mPD75306B) : 4096 ´ 8 bit (mPD75304B) • Data memory (RAM) : 512 ´ 4 bit · Instruction exe 文件：626.6 Kbytes 页数：78 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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UPD75306BGK-XXX-BE9	文件：626.6 Kbytes Page：78 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES · Ultra-low-voltage operation possible: VDD = 2.0 to 6.0 V • Can be driven by two 1.5 V manganese batteries. · On-chip memory • Program memory (ROM) : 8064 ´ 8 bit (mPD75308B) : 6016 ´ 8 bit (mPD75306B) : 4096 ´ 8 bit (mPD75304B) • Data memory (RAM) : 512 ´ 4 bit · Instruction exe 文件：626.6 Kbytes 页数：78 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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