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UPD750006	文件：719.08 Kbytes Page：84 Pages	4 BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPD750006	文件：641.45 Kbytes Page：86 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Capableoflow-voltageoperation:VDD=2.2to5.5V •Internalmemory Programmemory(ROM) :4096×8bits(μPD750004andμPD750004(A)) :6144×8bits(μPD750006andμPD750006(A)) :8192×8bits(μPD750008andμPD750008(A)) Datamemory(RAM) :512×4bits	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD750006A	文件：719.08 Kbytes Page：84 Pages	4 BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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