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UPD750006	文件：719.08 Kbytes Page：84 Pages	4 BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLER SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：719.08 Kbytes 页数：84 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD750006	文件：641.45 Kbytes Page：86 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Capable of low-voltage operation: VDD = 2.2 to 5.5 V • Internal memory Program memory (ROM) : 4096 × 8 bits (μPD750004 and μPD750004(A)) : 6144 × 8 bits (μPD750006 and μPD750006(A)) : 8192 × 8 bits (μPD750008 and μPD750008(A)) Data memory (RAM) : 512 × 4 bits 文件：641.45 Kbytes 页数：86 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD750006A	文件：719.08 Kbytes Page：84 Pages	4 BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLER SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：719.08 Kbytes 页数：84 Pages	NEC 瑞萨	NEC
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