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UPD48576236	文件：1.12946 Mbytes Page：53 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.12946 Mbytes 页数：53 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48576236FF-E18-DW1	文件：1.12946 Mbytes Page：53 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.12946 Mbytes 页数：53 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48576236FF-E18-DW1-A	文件：1.12946 Mbytes Page：53 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.12946 Mbytes 页数：53 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48576236FF-E24-DW1	文件：1.12946 Mbytes Page：53 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.12946 Mbytes 页数：53 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48576236FF-E24-DW1-A	文件：1.12946 Mbytes Page：53 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.12946 Mbytes 页数：53 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48576236FF-E25-DW1	文件：1.12946 Mbytes Page：53 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.12946 Mbytes 页数：53 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48576236FF-E25-DW1-A	文件：1.12946 Mbytes Page：53 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.12946 Mbytes 页数：53 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48576236FF-E33-DW1	文件：1.12946 Mbytes Page：53 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.12946 Mbytes 页数：53 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48576236FF-E33-DW1-A	文件：1.12946 Mbytes Page：53 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.12946 Mbytes 页数：53 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48576236F1-E18-DW1-A	文件：1.21987 Mbytes Page：54 Pages	576M-BIT Low Latency DRAM 文件：1.21987 Mbytes 页数：54 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

密度 (MB)：
576
架构：
Low Latency DRAM-II
功能：
Common I/O
突发长度 (字)：
2/4
数据宽度 (位)：
36
最大频率 (MHz)：
533
最小频率 (MHz)：
175
tRC (ns)：
15
工作温度 (degC)：
Tc=-0 to 95
I/O电压 (V)：
1.5/1.8
生产状态：
Mass Production

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