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UPD48576118F1-E24-DW1-A

Memory

Renesas

瑞萨

UPD5713TK-E2-A

RENESAS
SOT563

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

UPD5716GR-E1-A

RENESAS
HTSSOT16

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

UPD5739T7A-E1-A

RENESAS
HTSSOP16

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

UPD5753T7G-E1-A

RENESAS
HTSSOT16

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

技术参数

  • 密度 (MB):

    576

  • 架构:

    Low Latency DRAM-II

  • 功能:

    Separate I/O

  • 突发长度 (字):

    2/4/8

  • 数据宽度 (位):

    18

  • 最大频率 (MHz):

    400

  • 最小频率 (MHz):

    175

  • tRC (ns):

    15

  • 工作温度 (degC):

    Tc=-0 to 95

  • I/O电压 (V):

    1.5/1.8

  • 生产状态:

    Mass Production

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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50000
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