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UPD48288218AFF-E24-DW1-A	文件：1.10465 Mbytes Page：53 Pages	288M-BIT Low Laten cy DRAM Common I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.10465 Mbytes 页数：53 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD48288218AFF-E24-DW1-A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memory-Low Latency DRAM	Renesas 瑞萨	Renesas
UPD48288218AFF-E24-DW1	文件：1.10465 Mbytes Page：53 Pages	288M-BIT Low Laten cy DRAM Common I/O Features • SRAM-type interface • Double-data-rate architecture • PLL circuitry • Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns • Non-multiplexed addresses • Multiplexing option is available. • Data mask for WRITE commands • Differentia 文件：1.10465 Mbytes 页数：53 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD5713TK-E2-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS SOT563	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
UPD5716GR-E1-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS HTSSOT16	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

技术参数

Supply voltage (V)：
1.8
Density (Mbits)：
288
Architecture：
Low Latency DRAM-II
Function：
Common I/O
Burst Length (words)：
2/4/8
Data Width (bits)：
18
MAX Frequency (MHz)：
400
MIN Frequency (MHz)：
175
tRC (ns)：
15
Operation Temp (degC)：
Tc=-0 to 95
I/O Voltage (V)：
1.5/1.8
Production Status：
EOL announced

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