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UPD48288218AF1-E18-DW1-A

288M-BIT Low Latency DRAM

文件:1.22006 Mbytes 页数:54 Pages

RENESAS

瑞萨

UPD48288218AF1-E18-DW1-A

Memory

Renesas

瑞萨

UPD5713TK-E2-A

RENESAS
SOT563

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

UPD5716GR-E1-A

RENESAS
HTSSOT16

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

UPD5739T7A-E1-A

RENESAS
HTSSOP16

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

技术参数

  • Supply voltage (V):

    1.8

  • Density (Mbits):

    288

  • Architecture:

    Low Latency DRAM-II

  • Function:

    Common I/O

  • Burst Length (words):

    2/4/8

  • Data Width (bits):

    18

  • MAX Frequency (MHz):

    533

  • MIN Frequency (MHz):

    175

  • tRC (ns):

    15

  • Operation Temp (degC):

    Tc=-0 to 95

  • I/O Voltage (V):

    1.5/1.8

  • Production Status:

    Mass Production

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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