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UPD46364362B	文件：640.16 Kbytes Page：36 Pages	36M-BIT DDR II SRAM 2-WORD BURST OPERATION Features •1.8±0.1Vpowersupply •165-pinPLASTICBGA(13x15) •HSTLinterface •PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling •Pipelineddoubledatarateoperation •Commondatainput/outputbus •Two-tickburstforlowDDRtransactionsize •Twoinpu	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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UPD46364362BF1-E40-EQ1-A	文件：640.16 Kbytes Page：36 Pages	36M-BIT DDR II SRAM 2-WORD BURST OPERATION Features •1.8±0.1Vpowersupply •165-pinPLASTICBGA(13x15) •HSTLinterface •PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling •Pipelineddoubledatarateoperation •Commondatainput/outputbus •Two-tickburstforlowDDRtransactionsize •Twoinpu	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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UPD46364362BF1-E40-EQ1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memory-QDRII/DDRII/ QDRII+/DDRII+ SRAM;	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	Renesas

技术参数

Production Status：
EOL announced
Density (Mbits)：
36
Architecture：
DDR-II CIO
Burst Length (words)：
2
Read Latency (Clock)：
1.5
Data Width (bits)：
36
MAX Frequency (MHz)：
300
MIN Frequency (MHz)：
120
Package Body Size：
13x15mm

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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