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UPD46184362BF1-E40Y-EQ1	文件：611.22 Kbytes Page：34 Pages	18M-BIT DDR II SRAM 2-WORD BURST OPERATION Features • 1.8 ± 0.1 V power supply • 165-pin PLASTIC BGA (13 x 15) • HSTL interface • PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling • Pipelined double data rate operation • Common data input/output bus • Two-tick burst for low DDR transaction size • Two inpu 文件：611.22 Kbytes 页数：34 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD46184362BF1-E40Y-EQ1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memory-QDRII/DDRII/ QDRII+/DDRII+ SRAM	Renesas 瑞萨	Renesas
UPD46184362BF1-E40Y-EQ1-A	文件：611.22 Kbytes Page：34 Pages	18M-BIT DDR II SRAM 2-WORD BURST OPERATION Features • 1.8 ± 0.1 V power supply • 165-pin PLASTIC BGA (13 x 15) • HSTL interface • PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling • Pipelined double data rate operation • Common data input/output bus • Two-tick burst for low DDR transaction size • Two inpu 文件：611.22 Kbytes 页数：34 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD46184362BF1-E40Y-EQ1-A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memory-QDRII/DDRII/ QDRII+/DDRII+ SRAM	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

Density (Mbits)：
18
Architecture：
DDR-II CIO
Burst Length (words)：
2
Read Latency (Clock)：
1.5
Data Width (bits)：
36
MAX Frequency (MHz)：
250
MIN Frequency (MHz)：
120
Package Body Size：
13x15mm
Operation Temp (degC)：
Ta=-40 to 85
Production Status：
EOL announced

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市锐视安科技有限公司	UPD46185182BF1-E40EQ1-A	RENESAS/瑞萨	1339+	BGA	90	原装正品现货,可开发票,假一赔十	询价
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深圳深宇韬电子科技有限公司	UPD46185182BF1-E40Y-EQ1-A	RENESAS	2023+	1405	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	UPD46185182BF1-E40Y-EQ1-A	RENESAS	23+	/	2	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市宇创芯科技有限公司	UPD46185182BF1-E40Y-EQ1-A	RENESAS	24+	/	16900	原装正品现货支持实单	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	UPD46185182BF1-E40Y-EQ1-A	RENESAS	2511	/	2	电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价	询价

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