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UPD448012GY-B55X-MJH-A	文件：721.86 Kbytes Page：26 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features •524,288wordsby16bitsorganization •Fastaccesstime:55,70,85,100,120ns(MAX.) •Bytedatacontrol:/LB(I/O1-I/O8),/UB(I/O9-I/O16) •Lowvoltageoperation (Bversion:VCC=2.7to3.6V,Cversion:VCC=2.2to3.6V) •LowVCCdataretention:1.0V(MIN.) •Ope	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features •524,288wordsby16bitsorganization •Fastaccesstime:55,70,85,100,120ns(MAX.) •Bytedatacontrol:/LB(I/O1-I/O8),/UB(I/O9-I/O16) •Lowvoltageoperation (Bversion:VCC=2.7to3.6V,Cversion:VCC=2.2to3.6V) •LowVCCdataretention:1.0V(MIN.) •Ope

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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8M-BITCMOSSTATICRAM512K-WORDBY16-BITEXTENDEDTEMPERATUREOPERATION

Description TheµPD448012-Xisahighspeed,lowpower,8,388,608bits(524,288wordsby16bits)CMOSstaticRAM.TheµPD448012-Xhastwochipenablepins(/CE1,CE2)toextendthecapacity. TheµPD448012-Xispackedin48-pinPLASTICTSOP(I)(Normalbent). Features •524,288words

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

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