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UPD448012-CXXX	文件：721.86 Kbytes Page：26 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features •524,288wordsby16bitsorganization •Fastaccesstime:55,70,85,100,120ns(MAX.) •Bytedatacontrol:/LB(I/O1-I/O8),/UB(I/O9-I/O16) •Lowvoltageoperation (Bversion:VCC=2.7to3.6V,Cversion:VCC=2.2to3.6V) •LowVCCdataretention:1.0V(MIN.) •Ope	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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UPD448012-X	文件：147.11 Kbytes Page：24 Pages	8M-BITCMOSSTATICRAM512K-WORDBY16-BITEXTENDEDTEMPERATUREOPERATION Description TheµPD448012-Xisahighspeed,lowpower,8,388,608bits(524,288wordsby16bits)CMOSstaticRAM.TheµPD448012-Xhastwochipenablepins(/CE1,CE2)toextendthecapacity. TheµPD448012-Xispackedin48-pinPLASTICTSOP(I)(Normalbent). Features •524,288words	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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万三科技(深圳)有限公司	UPD448012GY-B10X-MJH	RENESAS	22+	NA	500000	万三科技,秉承原装,购芯无忧	询价
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更多UPD448012-CXXX供应商更新时间2025-5-19 15:00:00

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