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UPD444012AGY-B55X-MJH-A	文件：720.42 Kbytes Page：26 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features •262,144wordsby16bitsorganization •Fastaccesstime:50,55,70,85,100,120ns(MAX.) •Bytedatacontrol:/LB(I/O1-I/O8),/UB(I/O9-I/O16) •Lowvoltageoperation (Bversion:VCC=2.7to3.6V,Cversion:VCC=2.2to3.6V) •LowVCCdataretention:1.0V(MIN.) •	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
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MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features •262,144wordsby16bitsorganization •Fastaccesstime:50,55,70,85,100,120ns(MAX.) •Bytedatacontrol:/LB(I/O1-I/O8),/UB(I/O9-I/O16) •Lowvoltageoperation (Bversion:VCC=2.7to3.6V,Cversion:VCC=2.2to3.6V) •LowVCCdataretention:1.0V(MIN.) •

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4M-BITCMOSSTATICRAM256K-WORDBY16-BITEXTENDEDTEMPERATUREOPERATION

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