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UPD44325362F5-E50-EQ2-A	文件：587.99 Kbytes Page：42 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features •1.8±0.1Vpowersupply •165-pinPLASTICBGA(13x15) •HSTLinterface •PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling •Separateindependentreadandwritedataportswithconcurrenttransactions •100busutilizationDDRREADandWRITEoperation	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPD44325362F5-E50-EQ2

文件：357.7 Kbytes

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36M-BIT QDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

UPD44325362F5-E50-EQ2-A

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MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features •1.8±0.1Vpowersupply •165-pinPLASTICBGA(13x15) •HSTLinterface •PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling •Separateindependentreadandwritedataportswithconcurrenttransactions •100busutilizationDDRREADandWRITEoperation

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

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