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UPD44325362F5-E50-EQ2

文件：357.7 Kbytes

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36M-BIT QDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPD44325362F5-E50-EQ2-A

文件：587.99 Kbytes

Page：42 Pages

MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features •1.8±0.1Vpowersupply •165-pinPLASTICBGA(13x15) •HSTLinterface •PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling •Separateindependentreadandwritedataportswithconcurrenttransactions •100busutilizationDDRREADandWRITEoperation

RENESASRenesas Electronics America

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