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UPD44325362BF5-E33-FQ1	文件：393.02 Kbytes Page：36 Pages	36M-BIT QDRTM II SRAM 2-WORD BURST OPERATION Features •1.8±0.1Vpowersupply •165-pinPLASTICBGA(15x17) •HSTLinterface •PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling •Separateindependentreadandwritedataportswithconcurrenttransactions •100busutilizationDDRREADandWRITEoperation	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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UPD44325362BF5-E33-FQ1

文件：393.02 Kbytes

Page：36 Pages

36M-BIT QDRTM II SRAM 2-WORD BURST OPERATION

Features •1.8±0.1Vpowersupply •165-pinPLASTICBGA(15x17) •HSTLinterface •PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling •Separateindependentreadandwritedataportswithconcurrenttransactions •100busutilizationDDRREADandWRITEoperation

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

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RenesasRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

Renesas

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Page：36 Pages

36M-BIT QDRTM II SRAM 2-WORD BURST OPERATION

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

技术参数

Density (Mbits)：
36
Architecture：
QDR-II
Burst Length (words)：
2
Read Latency (Clock)：
1.5
Data Width (bits)：
36
MAX Frequency (MHz)：
300
MIN Frequency (MHz)：
120
Package Body Size：
15x17mm
Operation Temp (degC)：
Ta=0 to 70
Production Status：
EOL

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