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UPD44325362-A	文件：587.99 Kbytes Page：42 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features • 1.8 ± 0.1 V power supply • 165-pin PLASTIC BGA (13 x 15) • HSTL interface • PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling • Separate independent read and write data ports with concurrent transactions • 100 bus utilization DDR READ and WRITE operation 文件：587.99 Kbytes 页数：42 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD44325362B	文件：393.02 Kbytes Page：36 Pages	36M-BIT QDRTM II SRAM 2-WORD BURST OPERATION Features • 1.8 ± 0.1 V power supply • 165-pin PLASTIC BGA (15 x 17) • HSTL interface • PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling • Separate independent read and write data ports with concurrent transactions • 100 bus utilization DDR READ and WRITE operation 文件：393.02 Kbytes 页数：36 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD5713TK-E2-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS SOT563	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
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更多UPD44325362-A供应商更新时间2025-10-7 13:01:00