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UPD44325182BF5-E35-FQ1	文件：393.02 Kbytes Page：36 Pages	36M-BIT QDRTM II SRAM 2-WORD BURST OPERATION Features • 1.8 ± 0.1 V power supply • 165-pin PLASTIC BGA (15 x 17) • HSTL interface • PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling • Separate independent read and write data ports with concurrent transactions • 100 bus utilization DDR READ and WRITE operation 文件：393.02 Kbytes 页数：36 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD44325182BF5-E35-FQ1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memory-QDRII/DDRII/ QDRII+/DDRII+ SRAM	Renesas 瑞萨	Renesas
UPD44325182BF5-E35-FQ1-A	文件：393.02 Kbytes Page：36 Pages	36M-BIT QDRTM II SRAM 2-WORD BURST OPERATION Features • 1.8 ± 0.1 V power supply • 165-pin PLASTIC BGA (15 x 17) • HSTL interface • PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling • Separate independent read and write data ports with concurrent transactions • 100 bus utilization DDR READ and WRITE operation 文件：393.02 Kbytes 页数：36 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD44325182BF5-E35-FQ1-A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memory-QDRII/DDRII/ QDRII+/DDRII+ SRAM	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

Density (Mbits)：
36
Architecture：
QDR-II
Burst Length (words)：
2
Read Latency (Clock)：
1.5
Data Width (bits)：
18
MAX Frequency (MHz)：
287
MIN Frequency (MHz)：
120
Package Body Size：
15x17mm
Operation Temp (degC)：
Ta=0 to 70
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UPD44325182BF5-E35-FQ1供应商更新时间2025-10-7 17:00:00

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