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UPD44324365BF5-E33-FQ1	文件：425.18 Kbytes Page：35 Pages	36M-BIT DDR II SRAM SEPARATE I/O 2-WORD BURST OPERATION Features • 1.8 ± 0.1 V power supply • 165-pin PLASTIC BGA (15 x 17) • HSTL interface • PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling • Separate independent read and write data ports • DDR read or write operation initiated each cycle • Pipelined double data rat 文件：425.18 Kbytes 页数：35 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD44324365BF5-E33-FQ1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memory-QDRII/DDRII/ QDRII+/DDRII+ SRAM	Renesas 瑞萨	Renesas
UPD44324365BF5-E33-FQ1-A	文件：425.18 Kbytes Page：35 Pages	36M-BIT DDR II SRAM SEPARATE I/O 2-WORD BURST OPERATION Features • 1.8 ± 0.1 V power supply • 165-pin PLASTIC BGA (15 x 17) • HSTL interface • PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling • Separate independent read and write data ports • DDR read or write operation initiated each cycle • Pipelined double data rat 文件：425.18 Kbytes 页数：35 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD44324365BF5-E33-FQ1-A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memory-QDRII/DDRII/ QDRII+/DDRII+ SRAM	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

Density (Mbits)：
36
Architecture：
DDR-II SIO
Burst Length (words)：
2
Read Latency (Clock)：
1.5
Data Width (bits)：
36
MAX Frequency (MHz)：
300
MIN Frequency (MHz)：
120
Package Body Size：
15x17mm
Operation Temp (degC)：
Ta=0 to 70
Production Status：
EOL announced

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市振宏微科技有限公司	UPD44324365BF5-E40-FQ1	REN	23+	NA	130	专做原装正品,假一罚百!	询价
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深圳市华斯顿科技有限公司	UPD44324365BF5-E40-FQ1-A	Renesas	25+23+	BGA	25536	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	UPD44325084BF5-E33-FQ1	RENESAS/瑞萨	23+	NA	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
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深圳市科恒伟业电子有限公司	UPD44325084BF5-E33-FQ1	RENESAS/瑞萨	2450+	NA	9850	只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	UPD44325094F5-E40-EQ2	Renesas	23+	BGA165	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

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