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UPD442012AGY-BB85X-MJH-A

MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features •131,072wordsby16bitsorganization •Fastaccesstime:50,55,70,85ns(MAX.) •Bytedatacontrol:/LB(I/O1-I/O8),/UB(I/O9-I/O16) •Lowvoltageoperation (BBversion:VCC=2.7to3.6V,BCversion:VCC=2.2to3.6V) •LowVCCdataretention:1.0V(MIN.) •Ope

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPD442012AGY-BB85X-MJH

MOSINTEGRATEDCIRCUIT

Features •131,072wordsby16bitsorganization •Fastaccesstime:50,55,70,85ns(MAX.) •Bytedatacontrol:/LB(I/O1-I/O8),/UB(I/O9-I/O16) •Lowvoltageoperation (BBversion:VCC=2.7to3.6V,BCversion:VCC=2.2to3.6V) •LowVCCdataretention:1.0V(MIN.) •Ope

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瑞萨瑞萨科技有限公司

UPD442012AGY-BB85X-MJH

2M-BITCMOSSTATICRAM128K-WORDBY16-BITEXTENDEDTEMPERATUREOPERATION

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

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