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UPD442012AGY-BB55X-MJH	文件：757.35 Kbytes Page：26 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features •131,072wordsby16bitsorganization •Fastaccesstime:50,55,70,85ns(MAX.) •Bytedatacontrol:/LB(I/O1-I/O8),/UB(I/O9-I/O16) •Lowvoltageoperation (BBversion:VCC=2.7to3.6V,BCversion:VCC=2.2to3.6V) •LowVCCdataretention:1.0V(MIN.) •Ope	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD442012AGY-BB55X-MJH	文件：148.83 Kbytes Page：24 Pages	2M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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