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UPD44164362A-A	文件：580.71 Kbytes Page：42 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features • 1.8 ± 0.1 V power supply • 165-pin PLASTIC BGA package (13 x 15) • HSTL interface • PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling • Pipelined double data rate operation • Common data input/output bus • Two-tick burst for low DDR transaction size • 文件：580.71 Kbytes 页数：42 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD44164362B	文件：517.15 Kbytes Page：35 Pages	18M-BIT DDR II SRAM 2-WORD BURST OPERATION Features • 1.8 ± 0.1 V power supply • 165-pin PLASTIC BGA (13 x 15) • HSTL interface • PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling • Pipelined double data rate operation • Common data input/output bus • Two-tick burst for low DDR transaction size • Two inpu 文件：517.15 Kbytes 页数：35 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD44324182BF5-E40-FQ1	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEC BGA	NEC 瑞萨上传：上海鑫科润电子科技有限公司	NEC
UPD5713TK-E2-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS SOT563	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
UPD5716GR-E1-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS HTSSOT16	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

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