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UPD43256BGW-B10X-9JL中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

UPD43256BGW-B10X-9JL

功能描述

MOS INTEGRATED CIRCUIT

文件大小

659.4 Kbytes

页面数量

22

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-11 14:14:00

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UPD43256BGW-B10X-9JL规格书详情

特性 Features

• 32,768 words by 8 bits organization

• Fast access time: 70, 85, 100, 120, 150 ns (MAX.)

• Operating ambient temperature: TA = –25 to +85 °C

• Low voltage operation (A version: VCC = 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5

• Low VCC data retention: 2.0 V (MIN.)

• /OE input for easy application

产品属性

  • 型号:

    UPD43256BGW-B10X-9JL

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    SRAM Chip Async Single 3.3V/5V 256K-Bit 32K x 8 100ns 28-Pin TSOP-I

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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