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UPD43256BGW-85LL-9JL	文件：174.67 Kbytes Page：24 Pages	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT [NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
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UPD43256BGW-85X-9JL	文件：659.4 Kbytes Page：22 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features •32,768wordsby8bitsorganization •Fastaccesstime:70,85,100,120,150ns(MAX.) •Operatingambienttemperature:TA=–25to+85°C •Lowvoltageoperation(Aversion:VCC=3.0to5.5V,Bversion:VCC=2.7to5.5 •LowVCCdataretention:2.0V(MIN.) •/OEinputforea	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD43256BGW-85X-9JL-A	文件：659.4 Kbytes Page：22 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features •32,768wordsby8bitsorganization •Fastaccesstime:70,85,100,120,150ns(MAX.) •Operatingambienttemperature:TA=–25to+85°C •Lowvoltageoperation(Aversion:VCC=3.0to5.5V,Bversion:VCC=2.7to5.5 •LowVCCdataretention:2.0V(MIN.) •/OEinputforea	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD43256BGW-85X-9KL	文件：127.11 Kbytes Page：20 Pages	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION Description TheμPD43256B-Xisahighspeed,lowpower,and262,144bits(32,768wordsby8bits)CMOSstaticRAM. TheμPD43256B-Xisanextended-operating-temperatureversionoftheμPD43256B(Xversion:TA=–25to+85°C).AndAandBversionsarelowvoltageoperations.Batterybackupisava	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPD43256BGW-85LL-9JL	文件：231.03 Kbytes Page：24 Pages	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
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UPD43256BGW-85LL-9KL-A	文件：224.55 Kbytes Page：28 Pages	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
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UPD43256BGW-85X-9JL-A	文件：172.39 Kbytes Page：20 Pages	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司	UPD43256BGW-85LL-9JL	NEC	22+	TSSOP-28	4650		询价
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