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UPD431000AGW-B15

1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT

SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N

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NEC

瑞萨

UPD431000AGW-B15

MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features • 131,072 words by 8 bits organization • Fast access time: 70, 85, 100, 120, 150 ns (MAX.) • Low voltage operation (A version: VCC = 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 V) • Operating ambient temperature: TA = 0 to 70 °C • Low VCC data retention: 2.0 V (MIN.) • Output Enable i

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RENESAS

瑞萨

UPD44324182BF5-E40-FQ1

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BGA

UPD5713TK-E2-A

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SOT563

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UPD5716GR-E1-A

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