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UPD431000AGW-B12	文件：227.57 Kbytes Page：32 Pages	1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPD431000AGW-B12	文件：892.69 Kbytes Page：30 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features •131,072wordsby8bitsorganization •Fastaccesstime:70,85,100,120,150ns(MAX.) •Lowvoltageoperation(Aversion:VCC=3.0to5.5V,Bversion:VCC=2.7to5.5V) •Operatingambienttemperature:TA=0to70°C •LowVCCdataretention:2.0V(MIN.) •OutputEnablei	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPD431000AGW-B12

文件：227.57 Kbytes

Page：32 Pages

1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

UPD431000AGW-B12

文件：892.69 Kbytes

Page：30 Pages

MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features •131,072wordsby8bitsorganization •Fastaccesstime:70,85,100,120,150ns(MAX.) •Lowvoltageoperation(Aversion:VCC=3.0to5.5V,Bversion:VCC=2.7to5.5V) •Operatingambienttemperature:TA=0to70°C •LowVCCdataretention:2.0V(MIN.) •OutputEnablei

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

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深圳市一线半导体有限公司	UPD431000AGW-B12		24+	SOP	361		询价
深圳市富诚威科技有限公司	UPD431000AGW-B12	NEC	24+	SOP-32	4650		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	UPD431000AGW-B12	原厂正品	23+	PLCC-44	5000	原装正品,假一罚十	询价
万三科技(深圳)有限公司	UPD431000AGW-B12	RENESAS	22+	NA	500000	万三科技,秉承原装,购芯无忧	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	UPD431000AGW-B12	NEC	23+	32SOP	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
上海凌岳电子科技有限公司（上海涵恩科技）	UPD431000AGW-B12		2023+	32/SOP	3000	进口原装现货	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	UPD431000AGW-B15	NEC	2016+	SOP32	6523	只做原装正品现货!或订货!	询价
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