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UPD23C32300	文件：575.57 Kbytes Page：22 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features • Pin compatible with NOR Flash Memory • Word organization 4,194,304 words by 8 bits (BYTE mode) 2,097,152 words by 16 bits (WORD mode) • Operating supply voltage : VCC = 2.7 V to 3.6 V 文件：575.57 Kbytes 页数：22 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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UPD23C32300F9-XXX-BC3	文件：575.57 Kbytes Page：22 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features • Pin compatible with NOR Flash Memory • Word organization 4,194,304 words by 8 bits (BYTE mode) 2,097,152 words by 16 bits (WORD mode) • Operating supply voltage : VCC = 2.7 V to 3.6 V 文件：575.57 Kbytes 页数：22 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD23C32300F9-XXX-BC3-A	文件：575.57 Kbytes Page：22 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features • Pin compatible with NOR Flash Memory • Word organization 4,194,304 words by 8 bits (BYTE mode) 2,097,152 words by 16 bits (WORD mode) • Operating supply voltage : VCC = 2.7 V to 3.6 V 文件：575.57 Kbytes 页数：22 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD23C32300GZ-XXX-MJH	文件：575.57 Kbytes Page：22 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features • Pin compatible with NOR Flash Memory • Word organization 4,194,304 words by 8 bits (BYTE mode) 2,097,152 words by 16 bits (WORD mode) • Operating supply voltage : VCC = 2.7 V to 3.6 V 文件：575.57 Kbytes 页数：22 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD23C32300GZ-XXX-MJH-A	文件：575.57 Kbytes Page：22 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features • Pin compatible with NOR Flash Memory • Word organization 4,194,304 words by 8 bits (BYTE mode) 2,097,152 words by 16 bits (WORD mode) • Operating supply voltage : VCC = 2.7 V to 3.6 V 文件：575.57 Kbytes 页数：22 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD23C32300F9-BC3	文件：241.7 Kbytes Page：16 Pages	32M-BIT MASK-PROGRAMMABLE ROM 4M-WORD BY 8-BIT (BYTE MODE) / 2M-WORD BY 16-BIT (WORD MODE) 文件：241.7 Kbytes 页数：16 Pages	NEC 瑞萨	NEC
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详细参数

型号：
UPD23C32300
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
32M-BIT MASK-PROGRAMMABLE ROM 4M-WORD BY 8-BIT(BYTE MODE)/2M-WORD BY 16-BIT(WORD MODE)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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