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UPA1717G	文件：291.34 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mWMAX.(VGS=-10V,ID=-3A) RDS(on)2=59mWMAX.(VGS=-4.5V,ID=-3A) ·LowCiss:Ciss=830pFTYP. ·Built-inG-Sprotectiondiode ·Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1717G	文件：65.43 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1717isP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−3A) RDS(on)2=59mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−3A) •LowCiss:Ciss=830	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mWMAX.(VGS=-10V,ID=-3A) RDS(on)2=59mWMAX.(VGS=-4.5V,ID=-3A) ·LowCiss:Ciss=830pFTYP. ·Built-inG-Sprotectiondiode ·Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

UPA1717G

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SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION TheµPA1717isP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−3A) RDS(on)2=59mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−3A) •LowCiss:Ciss=830

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

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详细参数

型号：
UPD1717CU
功能描述：
Analog IC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UPD1717CU供应商更新时间2025-7-21 10:20:00

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