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UPD166101GR-E1-AZ	文件：296.97 Kbytes Page：14 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES Builtincurrentlimitandthermalshutdowncircuit. Thermalshutdownwillautomaticallyrestartafter thechanneltemperaturehascooldown. Lowon-stateresistance:RDS(ON)=160mΩ (VIN=5V,IOUT=0.8A,Tch=25°C) Builtindynamicclampcircuit uPD166101:DualchannelLow-s	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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MOSINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES Builtincurrentlimitandthermalshutdowncircuit. Thermalshutdownwillautomaticallyrestartafter thechanneltemperaturehascooldown. Lowon-stateresistance:RDS(ON)=160mΩ (VIN=5V,IOUT=0.8A,Tch=25°C) Builtindynamicclampcircuit uPD166101:DualchannelLow-s

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