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UPD166100GR-E2-AZ

文件：296.97 Kbytes

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MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES Builtincurrentlimitandthermalshutdowncircuit. Thermalshutdownwillautomaticallyrestartafter thechanneltemperaturehascooldown. Lowon-stateresistance:RDS(ON)=160mΩ (VIN=5V,IOUT=0.8A,Tch=25°C) Builtindynamicclampcircuit uPD166101:DualchannelLow-s

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更多UPD166100GR-E2-AZ供应商更新时间2024-6-15 17:28:00

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