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UPD166100GR-E2-AZ	文件：296.97 Kbytes Page：14 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES Built in current limit and thermal shutdown circuit. Thermal shutdown will automatically restart after the channel temperature has cool down. Low on-state resistance: RDS(ON) = 160 mΩ (VIN = 5 V, IOUT = 0.8 A, Tch = 25°C) Built in dynamic clamp circuit uPD166101: Dual channel Low-s 文件：296.97 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多UPD166100GR-E2-AZ供应商更新时间2026-1-22 17:06:00