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UPD121W33AT1F中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPD121W33AT1F
厂商型号

UPD121W33AT1F

功能描述

MOS INTEGRATED CIRCUIT

丝印标识

121W33

封装外壳

TO-252

文件大小

429.62 Kbytes

页面数量

18

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-4 12:20:00

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UPD121W33AT1F规格书详情

FEATURES

• Output Current: 1.5 A

• Output Voltage: 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V (Fixed type) / 1.8 to 3.3 V (Adjustable type)

• Output Voltage Tolerance: VO ± 2.0 (TJ = 25°C)

• Dropout Voltage: VDIF = 1.0 V MAX. (IO = 1.5 A)

• Quiescent Current: 150 μ A TYP. (IO = 0 A)

• Standby Current: 1 μ A

• Available for laminated ceramic capacitor: (Electric capacity 10 μ F or higher)

• On-chip over-current protection circuit

• On-chip thermal shut down circuit

产品属性

  • 型号:

    UPD121W33AT1F

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS INTEGRATED CIRCUIT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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