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UPD121A10T1F中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPD121A10T1F
厂商型号

UPD121A10T1F

功能描述

MOS INTEGRATED CIRCUIT

丝印标识

121A10

封装外壳

TO-252

文件大小

382.36 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-29 23:01:00

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UPD121A10T1F规格书详情

FEATURES

• Output Current: 2.0 A

• Output Voltage: 0.95 to 1.15 V

• Bias Voltage: 4.0 to 5.5 V

• Reference Voltage Tolerance: VREF ± 10 mV (TJ = 25°C)

• Low Dropout Voltage: VDIF = 0.7 V MAX. (IO = 1.0 A)

• On-chip over-current protection circuit

• On-chip thermal shut down circuit

产品属性

  • 型号:

    UPD121A10T1F

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS INTEGRATED CIRCUIT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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