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BC816H	文件：273.69 Kbytes Page：16 Pages	80V,500mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Highvoltage •Twocurrentgainselections •High-temperatureapplicationsupto175°C •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC816H_SER	文件：273.69 Kbytes Page：16 Pages	80V,500mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Highvoltage •Twocurrentgainselections •High-temperatureapplicationsupto175°C •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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BD-A816RD	文件：198.57 Kbytes Page：2 Pages	DUALDIGITLEDDISPLAY	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
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BD-E816RD-A	文件：198.57 Kbytes Page：2 Pages	DUALDIGITLEDDISPLAY	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BD-F816RD	文件：176.67 Kbytes Page：3 Pages	superredchips,whicharemadefromAlGaASonGaAssubstrate.	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
BD-F816RD	文件：198.57 Kbytes Page：2 Pages	DUALDIGITLEDDISPLAY	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BD-F816RD-A	文件：198.57 Kbytes Page：2 Pages	DUALDIGITLEDDISPLAY	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BF-U816RD	文件：193.23 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEDIGITLEDDISPLAYS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BGD816	文件：48.68 Kbytes Page：8 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION HybridamplifiermoduleinaSOT115Jpackageoperatingwithavoltagesupplyof24V(DC). FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Excellentreturnlossproperties •Siliconnitridepassivation •Ruggedconstruction •Goldmetallizationensuresexcellentreliabil	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGD816L	文件：48.65 Kbytes Page：8 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION HybridamplifiermoduleinaSOT115Jpackageoperatingwithavoltagesupplyof24V(DC). FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Excellentreturnlossproperties •Siliconnitridepassivation •Ruggedconstruction •Goldmetallizationensuresexcellentreliabil	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGD816L	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BS-A816RD	文件：193.23 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEDIGITLEDDISPLAYS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BS-C816RD	文件：193.23 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEDIGITLEDDISPLAYS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BSD816SN	文件：227.89 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSS816NW	文件：234.04 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BT816	文件：2.09619 Mbytes Page：64 Pages	EmbeddedVideoEngine AdvancedEmbeddedVideoEngine(EVE)withhighresolutiongraphicsandvideoplayback BT815/6functionalityincludesgraphiccontrol,audiocontrol,andtouchcontrolinterface. Supportmultiplewidgetsforsimplifieddesignimplementation Built-ingraphicsoperationsallowuserswithli	BRIDGETEK Bridgetek Pte Ltd.	BRIDGETEK

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详细参数

型号：
UPC816
功能描述：
上下转换器 Freqency Upconverter
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
产品：
Down Converters
射频：
52 MHz to 78 MHz
中频：
300 MHz
工作电源电压：
1.8 V, 3.3 V
工作电源电流：
120 mA
最大功率耗散：
1 W
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PQFP-128

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UPC816供应商更新时间2024-5-29 16:00:00

详细参数

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