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UPC3226TB-E3

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES •Lowcurrent:ICC=15.5mATYP.@VCC=5.0V •Mediumoutputpower:PO(sat)=+13.0dBmTYP.@f=1.0GHz :PO(sat)=+9.0dBmTYP.@f=2.2GHz •Highlinearity:PO(1dB)=+7.5dBmTYP.@f=1.0GHz :PO(1dB)=+5.7dBmTYP.@f=2.2GHz •Powergain:GP=25.0dBTY

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPC3226TB-E3

5V,SILICONGERMANIUMMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIER

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPC3226TB-E3

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT

CEL

California Eastern Labs

UPC3226TB-E3-A

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES •Lowcurrent:ICC=15.5mATYP.@VCC=5.0V •Mediumoutputpower:PO(sat)=+13.0dBmTYP.@f=1.0GHz :PO(sat)=+9.0dBmTYP.@f=2.2GHz •Highlinearity:PO(1dB)=+7.5dBmTYP.@f=1.0GHz :PO(1dB)=+5.7dBmTYP.@f=2.2GHz •Powergain:GP=25.0dBTY

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPC3226TB-E3-A

5V,SILICONGERMANIUMMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIER

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPC3226TB-E3-A

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT

CEL

California Eastern Labs

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