UPB1007K-E1RF/IF射频/中频RFID的射频混频器规格书PDF中文资料

厂商型号	UPB1007K-E1
参数属性	UPB1007K-E1 封装/外壳为36-VFQFN；包装为散装；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频混频器；产品描述：IC MIXR 1575.42MHZ DWNCONV 36QFN
功能描述	BIPOLAR ANALOG DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT
封装外壳	36-VFQFN
文件大小	510.84 Kbytes
页面数量	29 页
生产厂商	RENESAS
中文名称	瑞萨
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更新时间	2026-2-9 17:17:00
人工找货	UPB1007K-E1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

FEATURES

• Double conversion : fREFin = 16.368 MHz, f1stIFin = 61.380 MHz, f2ndIFin = 4.092 MHz

• Integrated RF block : Pre-Amplifier + RF/IF frequency down-converter + PLL frequency synthesizer

• Needless to input counter data : fixed division internal prescaler

• VCO side division : ¸200 (¸25, ¸8 serial prescaler)

• Reference division : ¸2

• Supply voltage : VCC = 2.7 to 3.3 V

• Low current consumption : ICC = 25.0 mA TYP. @ VCC = 3.0 V

• Gain adjustable externally : Gain control voltage pin (control voltage up vs. gain down)

• On-chip pre-amplifier : GP = 15.5 dB TYP. @ f = 1.57542 GHz

NF = 3.2 dB TYP. @ f = 1.57542 GHz

• Power-save function : Power-save dark current ICC(PD) = 5 mA MAX.

• High-density surface mountable : 36-pin plastic QFN

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