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UPA895TD-T3	文件：292.78 Kbytes Page：13 Pages	NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2ELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PACKAGE) FEATURES •Built-inlowphasedistortiontransistorsuitedforOSCapplications fT=4.5GHzTYP.,½S21e½2=4.0dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •Built-in2transistors(2´2SC5800) •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA895TD-T3	文件：129.61 Kbytes Page：10 Pages	NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2ELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PACKAGE) FEATURES •Built-inlowphasedistortiontransistorsuitedforOSCapplications fT=4.5GHzTYP.,\|S21e\|2=4.0dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •Built-in2transistors(2×2SC5800) •	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2ELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PACKAGE) FEATURES •Built-inlowphasedistortiontransistorsuitedforOSCapplications fT=4.5GHzTYP.,½S21e½2=4.0dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •Built-in2transistors(2´2SC5800) •

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NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2ELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PACKAGE) FEATURES •Built-inlowphasedistortiontransistorsuitedforOSCapplications fT=4.5GHzTYP.,|S21e|2=4.0dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •Built-in2transistors(2×2SC5800) •

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详细参数

型号：
UPA895TD-T3-A
功能描述：
射频双极小信号晶体管 NPN Dual High Freq
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Single
晶体管极性：
NPN
最大工作频率：
7000 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
15 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
2 V
集电极连续电流：
0.15 A
功率耗散：
1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe
最大工作温度：
+ 150 C
封装/箱体：
SOT-223
封装：
Reel

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更多UPA895TD-T3-A供应商更新时间2025-5-21 16:16:00

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