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UPA863TS-T3

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS) IN A 6-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD FEATURES • Low voltage operation • 2 different built-in transistors (2SC5436, 2SC5800) Q1: Built-in high gain transistor fT = 12.0 GHz TYP., S21e2 = 9.0 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz Q

文件:220.59 Kbytes 页数:12 Pages

RENESAS

瑞萨

UPB1507GV-E1-A

SSOP8

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

UPB1509GV-E1

SOP

UPB8216C

DIP16

UPB8284AD

DIP-18

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更多UPA863TS-T3供应商 更新时间2026-2-1 11:00:00