UPA832TF-T1中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

厂商型号	UPA832TF-T1
功能描述	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE
文件大小	65.55 Kbytes
页面数量	12 页
生产厂商	Renesas Electronics America
企业简称	NEC【瑞萨】
中文名称	日本瑞萨电子株式会社官网
原厂标识
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更新时间	2025-6-25 16:38:00
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DESCRIPTION

The µPA832TF has two different built-in transistors (Q1 and Q2) for low noise amplification in the VHF band to UHF band.

FEATURES

• Low noise

Q1 : NF = 1.2 dB TYP. @f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

Q2 : NF = 1.5 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 3 V, IC = 3 mA

• High gain

Q1 : |S21e|2 = 9.0 dB TYP. @f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

Q2 : |S21e|2 = 8.5 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 3 V, IC = 10 mA

• 6-pin thin-type small mini mold package

• 2 different transistors on-chip (2SC4226, 2SC4959)

型号：
UPA832TF-T1
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE