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UPA814T-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA814TC	文件：84.02 Kbytes Page：20 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2x2SC5195FLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation,lowphasedistortion •Lownoise:NF=1.5dBTYP.@VCE=3V,IC=7mA,f=2GHz NF=1.7dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •Flat-lead6-pinthin-typeultrasuperminimoldpackage. •Built-in2transistors(2×2SC5195)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA814TF	文件：18.59 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR DESCRIPTION TheUPA814TFcontainstwoNE688NPNhighfrequencysiliconbipolarchips.NECsnewlowprofileTFpackageisidealforallportablewirelessapplicatonswherereducingcomponentheightisaprimeconsideration.Eachtransistorchipisindependentlymountedandeasilyconfiguredfortw	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC814	文件：302.44 Kbytes Page：10 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC814C	文件：302.44 Kbytes Page：10 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UZ814	文件：224.84 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS3WATT	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
YHC814N	文件：168.2 Kbytes Page：2 Pages	SMDPowerInductor	TAI-TECHTAI-TECH Advanced Electronics Co., Ltd. 西北台庆科技西北台庆科技股份有限公司	TAI-TECH

产品属性

产品编号：
UPA814T-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
2 NPN（双）
电压 - 集射极击穿（最大值）：
6V
频率 - 跃迁：
9GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.5dB @ 2GHz
功率 - 最大值：
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 3mA，1V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：
6-SO
描述：
RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO

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