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UPA814T-A

Package:6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO

CEL

CEL

UPA814TC

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD

FEATURES • Low voltage operation, low phase distortion • Low noise: NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • Flat-lead 6-pin thin-type ultra super minimold package. • Built-in 2 transistors (2 × 2SC5195)

文件:84.02 Kbytes 页数:20 Pages

NEC

瑞萨

UPA814TF

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION The UPA814TF contains two NE688 NPN high frequency silicon bipolar chips. NECs new low profile TF package is ideal for all portable wireless applicatons where reducing component height is a prime consideration. Each transistor chip is independently mounted and easily configured for tw

文件:18.59 Kbytes 页数:1 Pages

NEC

瑞萨

UPC814

BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N

文件:302.44 Kbytes 页数:10 Pages

NEC

瑞萨

产品属性

  • 产品编号:

    UPA814T-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    6V

  • 频率 - 跃迁:

    9GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 3mA,1V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    6-SO

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多UPA814T-A供应商 更新时间2025-10-8 15:01:00