UPA806中文资料MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD数据手册Renesas规格书
| 厂商型号 |
UPA806 |
| 参数属性 | UPA806 封装/外壳为6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ 6SO |
| 功能描述 | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
| 封装外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名称 | 瑞萨 瑞萨科技有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 23:01:00 |
| 人工找货 | UPA806价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 产品编号：
UPA806T-T1
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 晶体管类型：
2 NPN（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
6V
- 频率 - 跃迁：
12GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
75 @ 10mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：
6-SO
- 描述：
RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ 6SO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
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NEC |
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SOT-363 |
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