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UPA3753GR-E1-AT	文件：142.88 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheμPA3753GRisDualN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforswitchingapplication. Features •Dualchiptype •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=56mΩMAX.(VGS=10V,ID=2.5A) ⎯RDS(on)=72mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=2.5A) •Lowgatecharge ⎯QG	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA3753GR-E1-AT

文件：142.88 Kbytes

Page：8 Pages

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheμPA3753GRisDualN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforswitchingapplication. Features •Dualchiptype •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=56mΩMAX.(VGS=10V,ID=2.5A) ⎯RDS(on)=72mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=2.5A) •Lowgatecharge ⎯QG

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更多UPA3753GR-E1-AX供应商更新时间2024-5-22 16:17:00

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