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UPA2804T1L-E2-AT	文件：217.02 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheμPA2804isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofanotebook computerandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. Features •VDSS30V(TA=25°C) •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=6.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=28A) •4.5V	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA2804T1L-E2-AT

文件：217.02 Kbytes

Page：8 Pages

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheμPA2804isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofanotebook computerandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. Features •VDSS30V(TA=25°C) •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=6.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=28A) •4.5V

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更多UPA2804T1L-E2-AY供应商更新时间2024-9-26 9:19:00

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