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UPA2802T1L-E2-AY	文件：375.51 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2802isN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofportableequipments. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=5.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=18A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=9A) •Built-ingateprotectiondiod	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA2802T1L-E2-AY

文件：375.51 Kbytes

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2802isN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofportableequipments. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=5.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=18A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=9A) •Built-ingateprotectiondiod

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