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UPA2755AGR-E1-AT	文件：280.96 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2755AGRisDualN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforDC/DCconvertersandpower managementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Dualchiptype •Lowon-stateresistance RDS(on)1=18mΩMAX.(VGS=10V,ID=4.0A) RDS(on)2=29mΩMAX.(VGS=4	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA2755AGR-E1-AT

文件：280.96 Kbytes

Page：9 Pages

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2755AGRisDualN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforDC/DCconvertersandpower managementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Dualchiptype •Lowon-stateresistance RDS(on)1=18mΩMAX.(VGS=10V,ID=4.0A) RDS(on)2=29mΩMAX.(VGS=4

RENESASRenesas Electronics America

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更多UPA2755AGR-E1-AT/J供应商更新时间2024-6-9 10:14:00

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