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UPA2709GR-E1-A	文件：341.86 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2709GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconverterandpowermanagement applicationsofnotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=10.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) •Low	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA2709GR-E1-A

文件：341.86 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2709GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconverterandpowermanagement applicationsofnotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=10.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) •Low

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